ASU o'simlik latta gazini keyingi ettita bosqich sifatida ishlab chiqaradi:

1.Bu siqilish havo changni oldindan filtrlanadi.

2. Said mahsulotning yakuniy bosimi tiklanish va mahsulotlarning suyuqligi (gaz yoki suyuqlik) bilan belgilanadi. Oddiy bosimlar 5 dan 10 gacha bar balandligi oralig'ida. ASU samaradorligini oshirish uchun havo oqimi turli xil bosimlarga siqilishi mumkin. Siqish paytida suvlararo sovutgichlarda kondensatsiya qilinadi.

3. Jarayon havo, odatda, qolgan suv bug'ini olib tashlaydigan molekulyar elakli to'shakdan, shuningdek, maydalangan karbonat angidridni olib tashlaydi. Molekulyar elilar ko'pincha har qanday gazni havosidan olib tashlash uchun ishlab chiqiladi, chunki bu portlashlarga olib keladigan keyingi havo distillashida muammo bo'lishi mumkin. Molekulyar eyeves to'shak tiklanishi kerak. Bu bir nechta bo'linmalarni almashtirish rejimida ishlaydigan va quruq koeffsiz chiqindi gazini suvni to'kish uchun ishlatish orqali amalga oshiriladi.

4.Pocessess Air Integral issiqlik almashtiruvchi (odatda plastinka issiqlik almashinuvi) orqali o'tadi va mahsulotni (va chiqindilar) krigenik oqimlarga qarshi sovutadi. Havo suyuqligi kislorodda boyitilgan suyuqlikni hosil qilish uchun. Qolgan gaz azotga boy va deyarli toza azotga distillanadi (odatda <1ppm) distillash ustunida (HP) distal azotga doshiladi. Ushbu ustunning kondensivi pasayishiga olib keladigan sovutishni talab qiladi, uni kislorodga boy yoki ekspressar orqali, (teskari kompressor) orqali kengayishidan olinadi.

5 Shu bilanoq kondensatorni distillash ustunida (LP) distillash ustunida (1,21,3 bar AB AB AB ABS-da) bilan sovutib olish mumkin. Ichishni kamaytirish xarajatlarini minimallashtirish uchun HP / LP ustunini qayta tinglash Kelvinning faqat 1-2 daraja o'zgarishi bilan ishlashi kerak, bu plitkalarni flencie faqat 1-2 darajadagi o'zgarishi kerak. Oddiy kislonod sofliklari 97,5% dan 99,5% gacha oralig'ida, kislorodni maksimal darajada tiklashga ta'sir qiladi. Shunday qilib, havoning ma'lum bir qismi ajratilmasligi kerak va past bosim ustunini yuqori qismidan chiqindilar oqim sifatida qoldirishi kerak.

6 Chunki Argonning qaynash nuqtasi (standart shartlarda 87,3 k) kislorod (90,2 k) va azot (77,4 k) orasidagi (77,4 k) orasida, argon past bosim ustunining pastki qismida joylashgan. Argon ishlab chiqarilganda, bug 'yonishi past bosimdan olinadi

Argon kontsentratsiyasi eng yuqori bo'lgan ustun. Bu LP ustunidagi suyuqlik bir xil joyga qaytariladigan istagan tozalikka argonni to'g'rilaydigan boshqa ustunga yuboriladi. Chiroyli tazyiqli paketlardan foydalanish juda kam bosimli tomchilar argon sofliklarini 1 ppmdan kamroq yoqishiga imkon beradi. Argonning 1% dan kam bo'lmagan bo'lsa-da, argon ustuni argon ustunida (taxminan 30) yuqori refrak nisbati tufayli katta miqdordagi energiya miqdorini talab qiladi. Argon ustunini sovutish sovuq kengaytirilgan boy suyuqlikdan yoki suyuq azot bilan ta'minlanishi mumkin.

Nihoyat, gaz shaklida ishlab chiqarilgan mahsulotlar kiruvchi havo bilan atrof-muhit haroratiga qadar isitiladi. Bu ehtiyotkorlik bilan ishlab chiqariladigan issiqlik integratsiyasini talab qiladi, bu tartibsizliklarga qarshi mustahkamlik (molekulyar elaklar to'shaklarini almashtirish uchun). Shuningdek, u ishga tushirish paytida qo'shimcha tashqi sovutishni talab qilishi mumkin.